硒堆的特點是其動作電壓和溫度有關，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復特性，能多次使用，當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結構為兩個電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規則的ZNO微結晶，結晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當加上電壓時，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，了過電壓，從而使晶閘管得到保護。浪涌過后，粒界層又恢復為高阻態。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數來表示。標稱電壓：指壓敏電阻流過1mA直流電流時，其兩端的電壓值。通流容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標稱電壓變化在-10[[[%]]]以內的比較大沖擊電流值來表示。因為正常的壓敏電阻粒界層只有一定大小的放電容量和放電次數，標稱電壓值不僅會隨著放電次數增多而下降，鋼鐵廠可控硅集成調壓模塊哪家好，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降，當大到某一電流時，鋼鐵廠可控硅集成調壓模塊哪家好，標稱電壓下降到0，鋼鐵廠可控硅集成調壓模塊哪家好，壓敏電阻出現穿孔，甚至炸裂；因此必須限定通流容量。

    它可以用控制移相觸發脈沖來方便地改變負載的交流工作電壓，從而應用于精確地調溫、調光等阻性負載及部分感性負載場合。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯輸出的增強型的區別在感性負載的場合，當LSR由通態關斷時，由于電流、電壓的相位不一致，將產生一個很大的電壓上升率dv/dt（換向dv/dt）加在雙向可控硅兩端，如此值超過雙向可控硅的換向dv/dt指標(典型值為10V/μs)則將導致延時關斷，甚至失敗。而單向可控硅為單極性工作狀態，只受靜態電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響，由兩只單向可控硅反并聯構成的增強型LSR比由一只雙向可控硅構成的普通型LSR的換向dv/dt有了很大提高，因此在感性或容性負載場合宜選取增強型LSR。㈣繼電器負載輸出端電流等級及型號如下表：電流普通型2A普通型4A普通型8A普通型16A普通型25A普通型40A增強型15A增強型35A型號LSR-3Z02D3LSR-3Z02D2LSR-3Z02A3LSR-3P02D1-3Z04D3-3Z04D2-3Z04A3-3P04D1-3Z08D3-3Z08D2-3Z08A3-3P08D1-3Z16D3-3Z16D2-3Z16A3-3P16D1-3Z25D3-3Z25D2-3Z25A3-3P25D1-3Z40D3-3Z40D2-3Z40A3-3P40D1LSR-H3Z15D3LSR-H3Z15D2LSR-H3Z15A3LSR-H3P15D1-H3Z35D3-H3Z35D2-H3Z35A3-H3P35D1電流增強型50A增強型70A增強型90A。

    紅表筆接K極時，電阻呈低阻值，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時接觸G極，加上正向觸發信號，表針向右偏轉到低阻值即表明GTO已經導通；脫開G極，只要GTO維持通態，就說明被測管具有觸發能力。3．檢查關斷能力現采用雙表法檢查GTO的關斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負向觸發信號，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關斷能力。4．估測關斷增益βoff進行到第3步時，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導通時表Ⅰ的正向偏轉格數n1；再接上表Ⅱ強迫GTO關斷，記下表Ⅱ的正向偏轉格數n2。根據讀取電流法按下式估算關斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數；K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數。βoff≈10×n1/n2此式的優點是。不需要具體計算IAT、IG之值，只要讀出二者所對應的表針正向偏轉格數，即可迅速估測關斷增益值。晶體閘流管注意事項編輯（1）在檢查大功率GTO器件時，建議在R×1檔外邊串聯一節′。

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