需求數(shù)量:0
價格要求:面議
所在地:山東省
包裝要求:
產(chǎn)品關鍵詞:菏澤快恢復可控硅模塊,可控硅模塊
***更新:2021-01-24 02:03:00
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詳細說明
可控硅模塊的應用領域
可控硅模塊應用于溫度控制、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子弧、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場合,如工業(yè)、通信,菏澤快恢復可控硅模塊、電力系統(tǒng)、電力系統(tǒng)等及其它各種電控、電源等,根據(jù)此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連,完成電流穩(wěn)定、電壓穩(wěn)定和軟啟動。并可結束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護功能。
可控硅模塊由于它在電路應用中的效率高、控制特性好,菏澤快恢復可控硅模塊、壽命長、體積小、功能強等優(yōu)點,自上個世紀六十長代以來,獲得了迅猛發(fā)展,并已形成了一門**的學科。
可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在,菏澤快恢復可控硅模塊,在工藝上已經(jīng)非常成熟,品質(zhì)更好,成品率大幅提高,并向高壓大電流發(fā)展。 淄博正高電氣有限公司不斷完善自我,滿足客戶需求。菏澤快恢復可控硅模塊
滿足可控硅模塊工作的必要條件:
(1)+12V直流電源:可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。
①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12±0.5V ,紋波電壓小于20mv 。
②可控硅模塊輸出電流要求:標稱電流小于500安培產(chǎn)品:I+12V>0.5A,標稱電流大于500安培產(chǎn)品:I+12V> 1A。
(2)可控硅模塊控制信號:0~10V或4~20mA控制信號,用于對輸出電壓大小進行調(diào)整的控制信號,正極接CON10V或CON20mA,負極接GND1。
(3)可控硅模塊供電電源和負載:供電電源一般為電網(wǎng)電源,電壓460V以下的或者供電變壓器,接可控硅模塊的輸入端子;負載為用電器,接可控硅模塊的輸出端子。 煙臺可控硅模塊供應商淄博正高電氣有限公司生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊。
您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎?
可控硅模塊導通的條件是陽極承受正電壓,只有當正向觸發(fā)電壓時,可控硅才能導通。由門級施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應使陽極電流達到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽極電流,即高于電流IL。可控硅導通后的電壓降很小。
接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值,即保持電流IH。有兩種方法:
1.將正極電壓降低至數(shù)值,或添加反向陽極電壓。
2.增加負載電路中的電阻。
以上是可控硅模塊的導通狀態(tài),希望能幫助您
只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。
這樣,在U2的每個正半周,從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α;在每個正半周內(nèi)可控硅模塊導通的電角度叫導通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ,改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,實現(xiàn)了可控整流。 淄博正高電氣有限公司歡迎朋友們指導和業(yè)務洽談。
導通角與模塊輸出電流的關系:山東可控硅模塊的導通角與模塊能輸出的器強大電流有直接關系,模塊的標稱電流是強大導通角時能輸出的強大電流。在小導通角(輸出電壓與輸入電壓比值很小)下輸出的電流峰值很大,但電流的有效值很小(直流儀表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時比實際值小),但是輸出電流的有效值很大,半導體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。因此,山東可控硅模塊應選擇在強大導通角的65%以上工作,及控制電壓應在5V以上。淄博正高電氣有限公司周邊生態(tài)環(huán)境狀況好。煙臺可控硅模塊供應商
淄博正高電氣有限公司愿和各界朋友真誠合作一同開拓。菏澤快恢復可控硅模塊
單向可控硅模塊有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1),二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。
單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時,單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態(tài)相當于開關的閉合與斷開狀態(tài),用它可制成無觸點開關。 菏澤快恢復可控硅模塊
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