光刻機的知識點：一般一個晶圓廠需要幾臺光刻機？并不是每個晶圓廠都必須配置光刻機，當(dāng)自身產(chǎn)能不是很大或者生產(chǎn)中耗能太高、產(chǎn)生環(huán)境污染的時候，這部分的需求可以轉(zhuǎn)移到晶圓代工廠去。美國現(xiàn)在的發(fā)展趨勢是，由于高耗能、有污染所以自己不生產(chǎn)，把先前很多工廠轉(zhuǎn)移到了某地。某地由于地域限制，工廠主要集中在新竹，污染、能耗都很大，所以也想把設(shè)備轉(zhuǎn)移到大陸廠商，如中芯國際、臺積電南京等。一個12寸廠每月的產(chǎn)能大約是8-9萬片，這已經(jīng)是很高的水平了，上海光柵光刻機生產(chǎn)廠家，換算到光刻機的產(chǎn)能大約是每天3000片，實際中效率可能每小時110-120片。涂膠的速度是制約光刻機生產(chǎn)效率的中心因素，涂膠機目前主要被日本的DNS和TEL壟斷。除了生產(chǎn)線以外，上海光柵光刻機生產(chǎn)廠家，晶圓廠的研發(fā)部門也需要光刻機，上海光柵光刻機生產(chǎn)廠家。光刻機的曝光：掩模壽命長（可提高10倍以上），圖形缺陷少。上海光柵光刻機生產(chǎn)廠家

投影式光刻機一般采用步進(jìn)-掃描式曝光方法。光源并不是一次把整個掩模上的圖形投影在晶圓上，曝光系統(tǒng)通過一個狹縫式曝光帶（slit）照射在掩模上，。載有掩模的工件臺在狹縫下沿著一個方向移動，等價于曝光系統(tǒng)對掩模做了掃描。與掩模的掃描同步，晶圓沿相反的方向以1/4的速度移動?，F(xiàn)代光刻機中，掩模掃描的速度可以高達(dá)2400mm/s，對應(yīng)的晶圓移動速度是600mm/s。較高的掃描速度可以縮短曝光時間，從而提高光刻機的產(chǎn)能。投影式光刻機的工作成像原理。曝光掃描結(jié)束后，曝光系統(tǒng)步進(jìn)式移動到下一個位置。步進(jìn)和掃描運動的示意圖。為了盡量減少晶圓等待曝光時間，步進(jìn)移動一般是按照一個蛇形路徑進(jìn)行的。完成一次掃描以后，曝光系統(tǒng)并不復(fù)位，而是在下一位置反方向掃描。先進(jìn)光刻機都是步進(jìn)-掃描的，簡稱“scanner”。光刻機的供應(yīng)商主要有荷蘭的ASML，日本的Nikon與Canon。上海芯片光刻機銷售廠家光刻機：隨著臺積電、三星5nm工藝的成熟，3nm成為下一個工藝的重要節(jié)點。

光刻機的技術(shù)原理：粒子束光刻。由于光學(xué)光刻受分辨率限制，要得到分辨率更高的圖形只能求助于粒子束光刻，因此有人預(yù)言21世紀(jì)將是粒子束光刻的世紀(jì)。常見的粒子束光刻主要有X射線、電子束和離子束光刻。X射線光刻。X射線光刻技術(shù)是目前國外研究比較熱門的一種粒子束光刻技術(shù)，同光學(xué)曝光相比，X射線有著更短的波長，因此有可能獲得分辨率更高的圖形，目前被認(rèn)為是100nm線條以下半導(dǎo)體器件制造的主要工具。它具有以下優(yōu)點：（1）景深容易控制；（2）視場大（可達(dá)50mm*50mm）；（3）:射線對光刻工藝中的塵埃不敏感，因此成品率較高。由于X射線的波長很短（通常為0.1~30nm），曝光時的衍射和散射幾乎可以忽略不計，因此可得到較高分辨率的圖形。X射線穿透力很強，目前多數(shù)的光學(xué)系統(tǒng)不能對它進(jìn)行反射或折射，因此多采用接近式曝光。

激光全息光刻機類別：按照各種絲網(wǎng)印刷機出現(xiàn)的時期和技術(shù)水平提高的順序，可分為四代產(chǎn)品。手動式絲網(wǎng)印刷機。一般由鉸鏈支承、承印平臺和絲網(wǎng)版組成，全部動作由手工操作。有一種多臺位手動機，臺板和絲網(wǎng)框全都串連在一個固定的中軸上，臺板(或網(wǎng)框)可繞中軸旋轉(zhuǎn)，便于進(jìn)行多色套印，稱為旋轉(zhuǎn)式多色手動絲網(wǎng)印刷機。半自動絲網(wǎng)印刷機。印刷時的各種動作實現(xiàn)部分自動，其余仍為手動的絲網(wǎng)印刷機。一般稱刮墨、勻墨和絲網(wǎng)版框自動的為1/4自動絲網(wǎng)印刷機，稱刮墨、勻墨、絲網(wǎng)版框和承印物吸附都自動的為1/2自動絲網(wǎng)印刷機。此外，承印物送入也能自動的為3/4自動絲網(wǎng)印刷機。還有自動絲網(wǎng)印刷機，絲網(wǎng)印刷聯(lián)動機。光刻機：在涂膠之前，對芯片表面進(jìn)行清洗和干燥是必不可少的。

目前光刻機主要可以分為IC前道制造光刻機（市場主流）、IC后道先進(jìn)封裝光刻機、LED/MEMS/PowerDevices制造用光刻機以及面板光刻機。其中IC前道光刻機需求量和價值量都較高，但是技術(shù)難度較大。而封裝光刻機對于光刻的精度要求低于前道光刻要求，面板光刻機主要用在薄膜晶體管制造中，與IC前道光刻機相比技術(shù)難度更低。IC前道光刻機技術(shù)較為復(fù)雜，光刻工藝是IC制造的中心環(huán)節(jié)也是占用時間比較大的步驟，光刻機是目前晶圓制造產(chǎn)線中成本較高的半導(dǎo)體設(shè)備。光刻設(shè)備約占晶圓生產(chǎn)線設(shè)備成本27%，光刻工藝占芯片制造時間40%-50%。高精度EUV光刻機的使用將使die和wafer的成本進(jìn)一步減小，但是設(shè)備本身成本也會增長。光刻機：接觸/接近式光刻通常采用汞燈產(chǎn)生的365~436nm的紫外波段。上海小型光刻機

光刻機的技術(shù)原理：粒子束光刻。上海光柵光刻機生產(chǎn)廠家

光刻機的主要性能指標(biāo)有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準(zhǔn)精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產(chǎn)效率等。分辨率是對光刻工藝加工可以達(dá)到的較細(xì)線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。對準(zhǔn)精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域，光源有汞燈，準(zhǔn)分子激光器等。2018年11月29日，國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”通過驗收。該光刻機由中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所研制，光刻分辨力達(dá)到22納米，結(jié)合雙重曝光技術(shù)后，未來還可用于制造10納米級別的芯片。上海光柵光刻機生產(chǎn)廠家

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