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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:不銹鋼壓力傳感器哪個(gè)品牌好
***更新:2020-05-26 22:46:15
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二是因?yàn)槔錈釡囟忍荻犬a(chǎn)生的熱應(yīng)力與殘余應(yīng)力相互作用,使其重新分布而獲得殘余應(yīng)力下降的效果。(3)恒溫時(shí)效法恒溫時(shí)效即可消除機(jī)械加工產(chǎn)生的殘余應(yīng)力,又能消除熱處理引入的殘余應(yīng)力。LY12硬鋁合金在200℃高溫下恒溫時(shí)效時(shí),殘余應(yīng)力釋放與時(shí)效時(shí)間關(guān)系表明,保溫24小時(shí),可使殘余應(yīng)力下降50%左右。2、機(jī)械法機(jī)械法穩(wěn)定性處理,不銹鋼壓力傳感器哪個(gè)品牌好,多在測力傳感器電路補(bǔ)償與調(diào)整和防護(hù)密封后,基本形成產(chǎn)品時(shí)進(jìn)行。主要工藝有脈動(dòng)疲勞法、超載靜壓法和振動(dòng)時(shí)效法,不銹鋼壓力傳感器哪個(gè)品牌好。(1)脈動(dòng)疲勞法將測力傳感器安裝在低頻疲勞試驗(yàn)機(jī)上,施加上限為額定載荷或120%額定載荷,以每秒3~5次的頻率進(jìn)行5000~10000次的循環(huán)。可有效的釋放彈性元件、電阻應(yīng)變計(jì)、應(yīng)變粘結(jié)劑膠層的殘余應(yīng)力,提高零點(diǎn)和靈敏度穩(wěn)定性的效果極為明顯。(2)超載靜壓法理論上適用于各種量程,但在實(shí)際生產(chǎn)中以鋁合金小量程測力傳感器應(yīng)用較多。其工藝是:在**的標(biāo)準(zhǔn)砝碼加載裝置中或簡易的機(jī)械螺旋加載設(shè)備上,不銹鋼壓力傳感器哪個(gè)品牌好,對測力傳感器施加125%額定載荷,保持4~8小時(shí),或施加110%額定載荷,保持24小時(shí),兩種工藝都可以達(dá)到釋放殘余應(yīng)力,提高零點(diǎn)和靈敏度穩(wěn)定性的目的。由于超載靜壓工藝所用設(shè)備簡單,成本低,效果好。
當(dāng)給橋路加一恒流激勵(lì)電源時(shí),可以將壓力信號(hào)線性的轉(zhuǎn)換成毫伏級(jí)電壓信號(hào),經(jīng)放大轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào),再由無線壓力傳感器的無線模塊發(fā)送到無線數(shù)據(jù)接收端。無線壓力傳感器進(jìn)行了電路設(shè)計(jì)、用電管理、通信協(xié)議的優(yōu)化,并實(shí)現(xiàn)了無線通訊“微功耗”設(shè)計(jì);采用微發(fā)射功率和高靈敏度接收策略;具有電池電量實(shí)時(shí)在線監(jiān)測功能,低于設(shè)定值自動(dòng)報(bào)警,提醒用戶及時(shí)更換電池;具有數(shù)字顯示功能,便于現(xiàn)場觀察及設(shè)置,可以在現(xiàn)場設(shè)定采集間隔、數(shù)據(jù)發(fā)送間隔、報(bào)警上下限等參數(shù);負(fù)責(zé)接收測控主機(jī)指令,完成油壓、套壓、回壓、干線壓力等壓力數(shù)據(jù)的測量和傳送;嚴(yán)格按照國家無線電管理**會(huì)對民用無線控制裝置的技術(shù)要求生產(chǎn),使用不受限制的433MHZ公用頻道,不必申請**頻率;采用碼分多址調(diào)制方式,允許在同一區(qū)域多部設(shè)備傳輸數(shù)據(jù)而不會(huì)互相干擾。
完成p-光刻注入。其中,在完成p-光刻注入的si襯底正面進(jìn)行n+光刻注入;在完成p-光刻注入的si襯底正面光刻n+隔離區(qū)圖形,注入p離子形成n+隔離區(qū),去除n+隔離區(qū)上的光刻膠,完成n+光刻注入。其中,在完成n+光刻注入的si襯底正面進(jìn)行p+光刻注入,包括:在完成n+光刻注入的si襯底正面光刻p+低阻區(qū)圖形,注入b離子形成p+低阻區(qū),再去除p+低阻區(qū)上的光刻膠,完成p+光刻注入。上述方案中,對注入摻雜后的si襯底進(jìn)行金屬布線,包括:對去除氧化層的si襯底進(jìn)行介質(zhì)層淀積,然后在介質(zhì)層上光刻接觸孔圖形并刻蝕接觸孔;在介質(zhì)層上金屬布線,蒸發(fā)淀積一層al,之后光刻金屬布線圖形,刻蝕al,去除光刻膠;對刻蝕al后的si襯底正面淀積鈍化層,然后光刻打線孔圖形并刻蝕出打線孔,去除光刻膠;用有機(jī)溶液對si襯底進(jìn)行泡洗并合金使金屬與低阻區(qū)形成歐姆接觸。上述方案中,對完成金屬布線后的si襯底進(jìn)行背面光刻刻蝕,得到感壓膜片,包括:對si襯底的背面光刻,依次法刻蝕背面sin、sio2,刻蝕掉背面保護(hù)層中間準(zhǔn)備刻蝕背腔的部分,留兩側(cè)背面保護(hù)層作為之后干法刻蝕的掩膜;以背面兩側(cè)的保護(hù)層作為掩膜,刻蝕si襯底的背腔,刻蝕后膜片圖形為方形或圓形。
文章來源地址: http://www.qyzv.cn/cp/49421.html
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