多晶硅薄膜太陽能電池

通常的晶體硅太陽能電池是在厚度350～450μm的高質(zhì)量硅片上制成的，這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實(shí)際消耗的硅材料更多。為了節(jié)省材料，北京太陽能電池片，人們從70年代中期就開始在廉價(jià)襯底上沉積多晶硅薄膜，但由于生長(zhǎng)的硅膜晶粒大小，未能制成有價(jià)值的太陽能電池。為了獲得大尺寸晶粒的薄膜，人們一直沒有停止過研究，并提出了很多方法。目前制備多晶硅薄膜電池多采用化學(xué)氣相沉積法，包括低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝。此外，液相外延法（LPPE）和濺射沉積法也可用來制備多晶硅薄膜電池。化學(xué)氣相沉積主要是以SiH2Cl2，北京太陽能電池片，北京太陽能電池片、SiHCl3、Sicl4或SiH4,為反應(yīng)氣體,在一定的保護(hù)氣氛下反應(yīng)生成硅原子并沉積在加熱的襯底上，襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4等。 太陽能電池片連接問題！北京太陽能電池片

多晶硅(p-Si)

熔融硅在順控條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。

結(jié)晶后的多晶硅經(jīng)開方、倒角、切片等一系列的工藝加工后的成品硅片即為多晶硅片

多晶硅片的表觀為深藍(lán)色的方片

單晶硅(c-Si)

以高純度多晶硅為原料在單晶爐中被熔化為液態(tài)在單晶種（籽晶）上結(jié)晶而成由于其晶體的原子和分子以同一方向（晶向）周期性地整齊排列所以稱為單晶硅。

單晶硅棒經(jīng)截?cái)唷⑷》健⑶衅蟮玫降某善饭杵礊閱尉Ч杵?

單晶硅片表觀為金屬灰色的準(zhǔn)方片

單晶硅電池光電轉(zhuǎn)換率較高可,但價(jià)格較高。多晶硅電池價(jià)格相對(duì)較低轉(zhuǎn)換效率也相對(duì)低些。但多晶硅片的產(chǎn)量、規(guī)模較單晶硅易擴(kuò)大。 北京太陽能電池片硅片和太陽能電池片有什么區(qū)別？

太陽能電池片加工中的摻雜與擴(kuò)散原理的原理：

半導(dǎo)體的摻雜擴(kuò)散，主要是依靠了離子從高濃度像低濃度區(qū)域擴(kuò)散的原理。在太陽能的硅片中，把雜質(zhì)原子的氣相源靠近硅片，加熱后，使其慢慢擴(kuò)散，雜質(zhì)原子會(huì)慢慢的深入硅片中，濃度從硅片邊緣到內(nèi)部是逐漸降低的。

半導(dǎo)體中的摻雜是指在半導(dǎo)體硅中摻入磷或鎵可以得n型或p型半導(dǎo)體材料，由此制出各式各樣的半導(dǎo)體器件。在一些無機(jī)固體化合物中摻入不同的金屬離子，可以得到不同性質(zhì)的發(fā)光材料，如氧化釔(III)中摻入銪(III)離子可以得到發(fā)紅光的熒光材料。

太陽電池的主柵是不確定數(shù)目的，這都是隨時(shí)代而變換的，以前是兩主柵，后面有三主柵，還有五主柵，其實(shí)也有研究過無主柵的，主柵的主要作用與細(xì)柵類似，都是收集載流子，但是呢，主柵的數(shù)量及寬度是要追求一個(gè)比較好化的，既要滿足足夠多和粗來講全部的有效載流子收集起來，又要盡可能的少和細(xì)來盡量減少對(duì)太陽光的阻擋作用。因此需要在這之間找一個(gè)平衡。因?yàn)楸趁娌簧婕暗讲晒鈫栴}（普通電池），所以一般設(shè)計(jì)成全鋁背場(chǎng)，但是也得要載流子導(dǎo)出來啊，所以會(huì)有背銀的存在，全鋁背場(chǎng)和背銀都是背電極。主柵和背面的背銀都是為了焊接用的，你看到的封裝好的電池，前面的主柵上是焊了一條焊帶的，背面也是，背銀的作用就是為焊帶焊接導(dǎo)出載流子而用的，需要注意的是細(xì)柵和主柵是絲網(wǎng)印刷印上去的，而你看到封裝好的電池的主柵上覆蓋了一層焊帶，這是焊上去的。至于你說的正極負(fù)極，這跟柵線的數(shù)目沒有關(guān)系，這主要與電池片的類型有關(guān)，P型電池片的正極是背電極，前電極（主柵細(xì)柵）就是負(fù)極。太陽能電池片并聯(lián)電阻是多少?

1、 什么是太陽能電池

答： 太陽能電池是基于半導(dǎo)體的光伏效應(yīng)將太陽輻射直接轉(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體器件。現(xiàn)在商品化的太陽能電池主要有以下幾種類型：?jiǎn)尉Ч杼柲茈姵亍⒍嗑Ч杼柲茈姵亍⒎蔷Ч杼柲茈姵兀壳斑€有碲華鎘電池、銅銦硒電池、納米氧化鈦敏化電池、多晶硅薄膜太陽能電池及有機(jī)太陽能電池等。

晶體硅（單晶、多晶）太陽能電池需要高純度的硅原料，一般要求純度至少是99.99998%，也就是一千萬個(gè)硅原子中**多允許2個(gè)雜質(zhì)原子存在。硅材料是用二氧化硅（SiO2，也就是我們所熟悉的沙子）作為原料，將其熔化并除去雜質(zhì)就可制取粗級(jí)硅。從二氧化硅到太陽能電池片，涉及多個(gè)生產(chǎn)工藝和過程，一般大致分為：二氧化硅—>冶金級(jí)硅—>高純?nèi)葰涔琛?高純度多晶硅—>單晶硅棒或多晶硅錠—>硅片—>太陽能電池片。 太陽能電池板能做的**小尺寸？吉林雙晶太陽能電池片結(jié)構(gòu)

太陽能電池的主要參數(shù)是什么？北京太陽能電池片

 二、表面制絨

  單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個(gè)四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價(jià)的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來制備絨面硅，腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面，還應(yīng)在溶液中酌量添加醇類如乙醇和異丙醇等作為絡(luò)合劑，以加快硅的腐蝕。制備絨面前，硅片須先進(jìn)行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面后，進(jìn)行一般的化學(xué)清洗。經(jīng)過表面準(zhǔn)備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應(yīng)盡快擴(kuò)散制結(jié)。 北京太陽能電池片

無錫薩科特新能源科技有限公司屬于電工電氣的高新企業(yè)，技術(shù)力量雄厚。無錫薩科特是一家私營(yíng)有限責(zé)任公司企業(yè)，一直貫徹“以人為本，服務(wù)于社會(huì)”的經(jīng)營(yíng)理念;“質(zhì)量高速，誠(chéng)守信譽(yù)，持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針。公司始終堅(jiān)持客戶需求***的原則，致力于提供高質(zhì)量的[ "太陽能電池片", "太陽能板", "太陽能系統(tǒng)", "太陽能水泵" ]。無錫薩科特順應(yīng)時(shí)代發(fā)展和市場(chǎng)需求，通過**技術(shù)，力圖保證高規(guī)格高質(zhì)量的[ "太陽能電池片", "太陽能板", "太陽能系統(tǒng)", "太陽能水泵" ]。

文章來源地址: http://www.qyzv.cn/cp/654743.html