六、鍍減反射膜

  拋光硅表面的反射率為35%,為了減少表面反射，遼寧單晶硅太陽能電池片分類,提高電池的轉換效率,需要沉積一層氮化硅減反射膜。工業生產中常采用PECVD設備制備減反射膜。PECVD即等離子增強型化學氣相沉積。它的技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體SiH4和NH3，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態薄膜即氮化硅薄膜。一般情況下，使用這種等離子增強型化學氣相沉積的方法沉積的薄膜厚度在70nm左右。這樣厚度的薄膜具有光學的功能性。利用薄膜干涉原理，遼寧單晶硅太陽能電池片分類，可以使光的反射大為減少，遼寧單晶硅太陽能電池片分類，電池的短路電流和輸出就有很大增加，效率也有相當的提高。

1）太陽能光強。太陽能電池就是把太陽光轉化為電的一種器件，在一般的情況下（注意條件），太陽能電池的效率隨光強增加而增加的。再進一步說就是太陽能電池效率和安裝地的綜合氣候條件有關系。2）電池的材料。不同的材料對光的吸收系數不同，禁帶寬度也不同，量子效率自然也不同，電池效率自然也不同了。一般來說，單晶硅/多晶硅對光的系數系數遠小于非晶硅的，所以非晶硅太陽能電池厚度**有單晶硅/多晶硅厚度的百分之一即可較好的吸收太陽光。另外理論上講GaAs太陽能電池的極限效率要大于其他太陽能電池的極限效率，因為GaAs太陽電池的禁帶寬度在1.4ev，和地面太陽光光譜能量的**值**為接近。3）工藝水平。不同的工藝水平，電池的效率自然也不同，看看各個廠子就很明白了，為什么原材料幾乎都一樣，做出來的電池效率卻差別很大，原因就在這。工藝水平自然和設備水平有著重要的關系，一般來說設備越是先進工藝就越***，電池效率就越高（工藝是設備的產物，沒有設備工藝無法實現，都是空想）。典型的例子就是SiN:H減反膜以及倒金字塔結構，一塊電池如果不采用這兩種工藝，效率差別會很**概8%左右）。

三、擴散制結

  太陽能電池需要一個大面積的PN結以實現光能到電能的轉換，而擴散爐即為制造太陽能電池PN結的**設備。管式擴散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴散一般用三氯氧磷液態源作為擴散源。把P型硅片放在管式擴散爐的石英容器內，在850---900攝氏度高溫下使用氮氣將三氯氧磷帶入石英容器，通過三氯氧磷和硅片進行反應，得到磷原子。經過一定時間，磷原子從四周進入硅片的表面層，并且通過硅原子之間的空隙向硅片內部滲透擴散，形成了N型半導體和P型半導體的交界面，也就是PN結。這種方法制出的PN結均勻性好,方塊電阻的不均勻性小于百分之十,少子壽命可大于10ms。制造PN結是太陽電池生產**基本也是**關鍵的工序。因為正是PN結的形成，才使電子和空穴在流動后不再回到原處，這樣就形成了電流，用導線將電流引出，就是直流電。

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