樣本對照組的數(shù)據(jù)越多，數(shù)據(jù)越豐富，重慶電子線圈哪個廠家質量好，軟故障的檢測結果可信度就越高，隨著使用過程中數(shù)據(jù)的積累迭代，軟故障檢測的可信度將越高。此外，還可以進一步延伸，根據(jù)存在軟故障的中間繼電器中線圈s參數(shù)相角為零對應頻率與作為對照組的正常中間繼電器的對應的頻率中心的距離來刻畫軟故障的嚴重程度，二者距離越遠，軟故障程度越嚴重。本實施方式聚類時使用的系統(tǒng)聚類法，系統(tǒng)聚類法是聚類分析的方法之一，其具體操作方法為：把**開始的每個樣品單獨列為一類，然在把類間距離**小的兩類樣品聚為新的小類，再把上一步已聚合的新的小類按其類間距離再次聚類，一直實施下去，重慶電子線圈哪個廠家質量好，直到把所有子類聚到一個大類下。實施例：下面將以額定電壓為12v的my2nj型中間繼電器為例，說明實際的如故障檢測過程以及檢測的有效性。受條件所限，使用6個額定電壓為12v的my2nj型中間繼電器構建初始對照樣本，直接測量得到的樣本頻率編為一組，人為制造軟故障后采集到的頻率編為二組，重慶電子線圈哪個廠家質量好，結果如表1所示。表1初始對照樣本數(shù)據(jù)(單位/mhz)將表1中的數(shù)據(jù)使用特有的聚類方法進行聚類分析分為兩大類，其結果如圖2所示，～，～。由圖2可以看出，特定的聚類方法可以很好的區(qū)分有無軟故障的中間繼電器。

    即驅動使能信號還未有效、呈低電平時，此時車用電磁閥t1和電阻r1構成串聯(lián)分壓電路，由于車用電磁閥t1斷路，因此車用電磁閥t1表現(xiàn)出很高的內阻，所以t1和r1的公共端a端的電壓非常高，因此b端電壓也保持在邏輯高的電壓范圍內，也即此時b端給cpld控制器的診斷狀態(tài)位為高電平。當驅動使能信號高電平有效時，a端的電壓和b端電壓都保持在邏輯高的電壓范圍內，此時b端給cpld控制器的診斷狀態(tài)位為高電平。比較圖2和圖3可以看出，當驅動使能信號還未有效時，正常情況下診斷狀態(tài)位呈低電平，出現(xiàn)斷路故障后診斷狀態(tài)位由低電平變?yōu)楦唠娖剑欢隍寗邮鼓苄盘柛唠娖接行r，無論是正常情況還是斷路故障時，診斷狀態(tài)位都為高電平。因此cpld控制器在車用電磁閥t1未驅動時，也即驅動使能信號還未有效時，結合診斷狀態(tài)位的邏輯電平以確定車用電磁閥t1的斷路狀態(tài)。具體的，cpld控制器在驅動使能信號無效且診斷狀態(tài)位為高電平時確定車用電磁閥t1出現(xiàn)斷路故障，此時通過斷路反饋輸出端向mcu反饋有效的斷路反饋狀態(tài)位，也即如圖3所示，斷路反饋狀態(tài)位由低電平變?yōu)楦唠娖剑瑫r，控制驅動控制信號為低電平無效狀態(tài)、保持關閉，切斷驅動輸出。mcu讀取斷路反饋狀態(tài)位后，發(fā)出清零信號。

    電動車無刷電機控制器短路的工作模型解決方案：溫升公式：Tj=Tc+P×Rth(jc)根據(jù)單脈沖的熱阻系數(shù)確定允許的短路時間工作溫度越高短路保護時間就應該越短1短路模型及分析短路模型如圖1所示，其中*畫出了功率輸出級的A、B兩相(共三相)。Q1和Q3為A相MOSFET，Q2和Q4為B相MOSFET，所有功率MOSFET均為AOT430。L1為電機線圈，Rs為電流檢測電阻。當控制器工作時，如電機短路，則會形成如圖1中所示的流經(jīng)Q2，Q3的短路電流，其電流值很大，達幾百安培，MOSFET的瞬態(tài)溫升很大，這種情況下應及時保護，否則會使MOSFET結點溫度過高而使MOSFET損壞。短路時Q3電壓和電流波形如圖2所示。圖2a中的MOSFET能承受45us的大電流短路，而圖2b中的MOSFET不能承受45us的大電流短路，當脈沖45us關斷后，Vds回升，由于溫度過高，*經(jīng)過10us的時間MOSFET便短路，Vds迅速下降,短路電流迅速上升。由圖2我們可以看出短路時峰值電流達500A，這是由于短路時MOSFET直接將電源正負極短路，回路阻抗是導線，PCB走線及MOSFET的Rds(on)之和，其數(shù)值很小，一般為幾十毫歐至幾百毫歐。2計算合理的保護時間在實際應用中，不同設計的控制器，其回路電感和電阻存在一定的差別以及短路時的電源電壓不同。

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