由于CAR光刻膠的光致酸劑產生的酸本身并不會在曝光過程中消耗而**作為催化劑而存在，因此少量的酸就可以持續地起到有效作用，吉林真空鍍膜代工。CAR光刻膠的光敏感性很強，所需要從深紫外輻射中吸收的能量很少，較大加強了光刻的效率。CAR 光刻膠曝光速遞是 DQN 光刻膠的10倍左右。從 90 年代后半期開始，光刻光源就開始采用 248nm 的 KrF 激光；而從 2000 年代開始，光刻就進一步轉向使用193nm 波長的 ArF 準分子激光作為光源。在那之后一直到現在的約 20 年里，193nm 波長的 ArF 準分子激光一直是半導體制程領域性能較可靠，吉林真空鍍膜代工，使用較普遍的光刻光源。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘，吉林真空鍍膜代工、對準曝光、后烘、顯影、硬烘等工序。吉林真空鍍膜代工

光刻層間對準，即套刻精度（Overlay），保證圖形與硅片上已經存在的圖形之間的對準。曝光中較重要的兩個參數是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距調整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的圖形。表現為圖形的關鍵尺寸超出要求的范圍。曝光方法：a、接觸式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。缺點：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，壽命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。b、接近式曝光（Proximity Printing）。珠海感應耦合等離子刻蝕材料刻蝕由于電子束直寫光刻曝光效率低，主要用于實驗室小樣品納米制造。

世界三大光刻機生產商浸沒式光刻機樣機都是在原有193nm干式光刻機的基礎上改進研制而成，較大降低了研發成本和風險。因為浸沒式光刻系統的原理清晰而且配合現有的光刻技術變動不大，目前193nmArF準分子激光光刻技術在65nm以下節點半導體量產中已經普遍應用；ArF浸沒式光刻技術在45nm節點上是大生產的主流技術。為把193i技術進一步推進到32和22nm的技術節點上，光刻**一直在尋找新的技術，在沒有更好的新光刻技術出現前，兩次曝光技術（或者叫兩次成型技術，DPT）成為人們關注的熱點。

光刻分辨率Resolution：0.18～0.25μm（一般采用了偏軸照明OAI_Off-Axis Illumination和相移掩膜板技術PSM_Phase Shift Mask增強）；套刻精度Overlay：65nm；產能Throughput：30～60wafers/hour（200mm）；視場尺寸Field Size：25×32mm；后烘方法：熱板，110～130C,1分鐘。目的：a、減少駐波效應；b、激發化學增強光刻膠的PAG產生的酸與光刻膠上的保護基團發生反應并移除基團使之能溶解于顯影液。顯影方法：a、整盒硅片浸沒式顯影（Batch Development）。缺點：顯影液消耗很大；顯影的均勻性差；b、連續噴霧顯影（Continuous Spray Development）/自動旋轉顯影（Auto-rotation Development）。一個或多個噴嘴噴灑顯影液在硅片表面，同時硅片低速旋轉（100～500rpm）。半導體基片上如果有絕緣的介質膜，電子通過它時也會產生一定量的電荷積累。

提高光刻技術分辨率的傳統方法是增大鏡頭的NA或縮短波長，通常首先采用的方法是縮短波長。早在80年代，極紫外光刻技術就已經開始理論的研究和初步的實驗，該技術的光源是波長為11～14nm的極端遠紫外光，其原理主要是利用曝光光源極短的波長達到提高光刻技術分辨率的目的。由于所有的光學材料對該波長的光有強烈的吸收，所以只能采取反射式的光路。EUV系統主要由四部分組成，即反射式投影曝光系統、反射式光刻掩模版、極紫外光源系統和能用于極紫外的光刻涂層。傳統光刻技術光刻膠與曝光鏡頭之間的介質是空氣，而浸沒式技術則是將空氣換成液體介質。吉林真空鍍膜代工

是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔，以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。吉林真空鍍膜代工

EUV系統主要成像原理是光波波長為10～14nm的極端遠紫外光波經過周期性多層膜反射鏡投射到反射式掩模版上，通過反射式掩模版反射出的極紫外光波再通過由多面反射鏡組成的縮小投影系統，將反射式掩模版上的集成電路幾何圖形投影成像到硅片表面的光刻膠中，形成集成電路制造所需要的光刻圖形。目前EUV技術采用的曝光波長為13．5nm，由于其具有如此短的波長，所有光刻中不需要再使用光學鄰近效應校正（OPC）技術，因而它可以把光刻技術擴展到32nm以下技術節點。2009年9月Intel首先次向世人展示了22nm工藝晶圓，稱繼續使用193nm浸沒式光刻技術，并規劃與EUV及EBL曝光技術相配合，使193nm浸沒式光刻技術延伸到15和11nm工藝節點。吉林真空鍍膜代工

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