四、去磷硅玻璃

  該工藝用于太陽能電池片生產制造過程中，通過化學腐蝕法也即把硅片放在氫氟酸溶液中浸泡，使其產生化學反應生成可溶性的絡和物六氟硅酸，以去除擴散制結后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。在擴散過程中，POCL3與O2反應生成P2O5淀積在硅片表面。P2O5與Si反應又生成SiO2和磷原子，

  這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2，稱之為磷硅玻璃。去磷硅玻璃的設備一般由本體、清洗槽、伺服驅動系統、機械臂、電氣控制系統和自動配酸系統等部分組成，主要動力源有氫氟酸、氮氣、壓縮空氣，遼寧雙晶太陽能電池片，遼寧雙晶太陽能電池片、純水，熱排風和廢水，遼寧雙晶太陽能電池片。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因為氫氟酸與二氧化硅反應生成易揮發的四氟化硅氣體。若氫氟酸過量，反應生成的四氟化硅會進一步與氫氟酸反應生成可溶性的絡和物六氟硅酸。 太陽能電池片回收多少錢一斤？遼寧雙晶太陽能電池片

七、絲網印刷

  太陽電池經過制絨、擴散及PECVD等工序后，已經制成PN結，可以在光照下產生電流，為了將產生的電流導出，需要在電池表面上制作正、負兩個電極。制造電極的方法很多，而絲網印刷是目前制作太陽電池電極**普遍的一種生產工藝。絲網印刷是采用壓印的方式將預定的圖形印刷在基板上，該設備由電池背面銀鋁漿印刷、電池背面鋁漿印刷和電池正面銀漿印刷三部分組成。其工作原理為：利用絲網圖形部分網孔透過漿料，用刮刀在絲網的漿料部位施加一定壓力，同時朝絲網另一端移動。油墨在移動中被刮刀從圖形部分的網孔中擠壓到基片上。由于漿料的粘性作用使印跡固著在一定范圍內，印刷中刮板始終與絲網印版和基片呈線性接觸，接觸線隨刮刀移動而移動，從而完成印刷行程。 遼寧雙晶太陽能電池片生產太陽能電池板內部構造.

 二、表面制絨

  單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結構。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來制備絨面硅，腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面，還應在溶液中酌量添加醇類如乙醇和異丙醇等作為絡合劑，以加快硅的腐蝕。制備絨面前，硅片須先進行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面后，進行一般的化學清洗。經過表面準備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應盡快擴散制結。

三、擴散制結

  太陽能電池需要一個大面積的PN結以實現光能到電能的轉換，而擴散爐即為制造太陽能電池PN結的**設備。管式擴散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴散一般用三氯氧磷液態源作為擴散源。把P型硅片放在管式擴散爐的石英容器內，在850---900攝氏度高溫下使用氮氣將三氯氧磷帶入石英容器，通過三氯氧磷和硅片進行反應，得到磷原子。經過一定時間，磷原子從四周進入硅片的表面層，并且通過硅原子之間的空隙向硅片內部滲透擴散，形成了N型半導體和P型半導體的交界面，也就是PN結。這種方法制出的PN結均勻性好,方塊電阻的不均勻性小于百分之十,少子壽命可大于10ms。制造PN結是太陽電池生產**基本也是**關鍵的工序。因為正是PN結的形成，才使電子和空穴在流動后不再回到原處，這樣就形成了電流，用導線將電流引出，就是直流電。 太陽能電池片含鉛嗎？？？

硅太陽能電池的性能參數主要有：短路電流、開路電壓、峰值電流、峰值電壓、峰值功率、填充因子和轉換效率等。

①短路電流(isc)：當將太陽能電池的正負極短路、使u=0時，此時的電流就是電池片的短路電流，短路電流的單位是安培(a)，短路電流隨著光強的變化而變化。

②開路電壓(uoc)：當將太陽能電池的正負極不接負載、使i=0時，此時太陽能電池正負極間的電壓就是開路電壓，開路電壓的單位是伏特(v)。單片太陽能電池的開路電壓不隨電池片面積的增減而變化，一般為0.5～0.7v。

③峰值電流(im)：峰值電流也叫比較大工作電流或比較好工作電流。峰值電流是指太陽能電池片輸出比較大功率時的工作電流，峰值電流的單位是安培(a)。

④峰值電壓(um)：峰值電壓也叫比較大工作電壓或比較好工作電壓。峰值電壓是指太陽能電池片輸出比較大功率時的工作電壓，峰值電壓的單位是v。峰值電壓不隨電池片面積的增減而變化，一般為0.45～0.5v，典型值為0.48v。

太陽能電池板能做的**小尺寸？吉林非晶硅太陽能電池片組件

太陽能電池單片體積是多大？遼寧雙晶太陽能電池片

切成小片主要是為了匹配電壓。

由于禁帶寬度對于太陽能電池是恒定的所以，一般來說不論電池切割成多少分電壓都不變，有了這個性質 為了得到高電壓的，那么就可以把完整電池片切割開N粉，然后把這些小片子串聯起來，就這就得到了N倍的電壓。

當然相應的電流就縮小了N分之一，因為功率是不會變化的。

至于電阻一般不太考慮的。

單晶和多晶本質上都是硅，只不過源包排列上面有些區別，做成電池片了，在某種意義上可以認為是一樣的。

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