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產品關鍵詞:黑龍江非晶硅太陽能電池片色差,太陽能電池片
***更新:2020-06-17 00:29:31
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太陽能電池片加工中的摻雜與擴散原理的原理:
半導體的摻雜擴散,主要是依靠了離子從高濃度像低濃度區域擴散的原理。在太陽能的硅片中,黑龍江非晶硅太陽能電池片色差,把雜質原子的氣相源靠近硅片,加熱后,使其慢慢擴散,黑龍江非晶硅太陽能電池片色差,雜質原子會慢慢的深入硅片中,黑龍江非晶硅太陽能電池片色差,濃度從硅片邊緣到內部是逐漸降低的。
半導體中的摻雜是指在半導體硅中摻入磷或鎵可以得n型或p型半導體材料,由此制出各式各樣的半導體器件。在一些無機固體化合物中摻入不同的金屬離子,可以得到不同性質的發光材料,如氧化釔(III)中摻入銪(III)離子可以得到發紅光的熒光材料。 太陽能電池片的檢驗項目有哪些?黑龍江非晶硅太陽能電池片色差
多晶硅薄膜太陽能電池
通常的晶體硅太陽能電池是在厚度350~450μm的高質量硅片上制成的,這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實際消耗的硅材料更多。為了節省材料,人們從70年代中期就開始在廉價襯底上沉積多晶硅薄膜,但由于生長的硅膜晶粒大小,未能制成有價值的太陽能電池。為了獲得大尺寸晶粒的薄膜,人們一直沒有停止過研究,并提出了很多方法。目前制備多晶硅薄膜電池多采用化學氣相沉積法,包括低壓化學氣相沉積(LPCVD)和等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝。此外,液相外延法(LPPE)和濺射沉積法也可用來制備多晶硅薄膜電池。化學氣相沉積主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,為反應氣體,在一定的保護氣氛下反應生成硅原子并沉積在加熱的襯底上,襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4等。 北京太陽能電池片進口太陽能電池片為什么有細柵線?
太陽能電池片虛焊、過焊原因與影響
1.焊接溫度過多或助焊劑涂抹過少或速度過快會導致虛焊 2.焊接溫度過高或焊接時間過長會導致過焊現象.
對太陽能組件的影響: 1.虛焊在短時間出現焊帶與電池片脫層,影響組件功率衰減或失效, 2.過焊導致電池片內部電極被損壞,直接影響組件功率衰減降低組件壽命或造成報廢 預防措施: 1.確保焊接機溫度、助焊劑噴射量和焊接時間的參數設定. 并要定期檢查, 2.返修區域要確保烙鐵的溫度、焊接時間和使用正確的助焊筆涂抹助焊劑. 3.加強EL檢驗力度,避免不良漏失下一工序
太陽能電池的性能參數主要有:短路電流、開路電壓、峰值電流、峰值電壓、峰值功率、填充因子和轉換效率等。當然還有電流和電壓參數的溫度系數,
各參數具體解釋如下:
①短路電流(isc):當將太陽能電池的正負極短路、使u=0時,此時的電流就是電池片的短路電流,短路電流的單位是安培(a),短路電流隨著光強的變化而變化。
②開路電壓(uoc):當將太陽能電池的正負極不接負載、使i=0時,此時太陽能電池正負極間的電壓就是開路電壓,開路電壓的單位是伏特(v)。單片太陽能電池的開路電壓不隨電池片面積的增減而變化,一般為0.5~0.7v。
③峰值電流(im):峰值電流也叫比較大工作電流或比較好工作電流。峰值電流是指太陽能電池片輸出比較大功率時的工作電流,峰值電流的單位是安培(a)。
④峰值電壓(um):峰值電壓也叫比較大工作電壓或比較好工作電壓。峰值電壓是指太陽能電池片輸出比較大功率時的工作電壓,峰值電壓的單位是v。峰值電壓不隨電池片面積的增減而變化,一般為0.45~0.5v,典型值為0.48v。
太陽能電池板是將太陽能直接轉化為電能嗎?
光伏電池的發電原理可說就是光伏發電原理:
光伏發電是利用半導體界面的光生伏***應而將光能直接轉變為電能的一種技術。這種技術的關鍵元件是太陽能電池。太陽能電池經過串聯后進行封裝保護可形成大面積的太陽電池組件,再配合上功率控制器等部件就形成了光伏發電裝置。
光伏發電的主要具體原理是半導體的光電效應。光子照射到金屬上時,它的能量可以被金屬中某個電子全部吸收,電子吸收的能量足夠大,能克服金屬內部引力做功,離開金屬表面逃逸出來,成為光電子。硅原子有4個外層電子,如果在純硅中摻入有5個外層電子的原子如磷原子,就成為N型半導體;若在純硅中摻入有3個外層電子的原子如硼原子,形成P型半導體。當P型和N型結合在一起時,接觸面就會形成電勢差,成為太陽能電池。當太陽光照射到P-N結后,空穴由P極區往N極區移動,電子由N極區向P極區移動,形成電流。
上面所說的光電效應就是光照使不均勻半導體或半導體與金屬結合的不同部位之間產生電位差的現象。它首先是由光子(光波)轉化為電子、光能量轉化為電能量的過程;其次,是形成電壓過程。 單晶硅電池片主要的電性能參數有哪些?吉林晶澳太陽能電池片生產
太陽能電池片對身體有危害嗎?黑龍江非晶硅太陽能電池片色差
研究發現,在非硅襯底上很難形成較大的晶粒,并且容易在晶粒間形成空隙。解決這一問題辦法是先用LPCVD在襯底上沉熾一層較薄的非晶硅層,再將這層非晶硅層退火,得到較大的晶粒,然后再在這層籽晶上沉積厚的多晶硅薄膜,因此,再結晶技術無疑是很重要的一個環節,目前采用的技術主要有固相結晶法和中區熔再結晶法。多晶硅薄膜電池除采用了再結晶工藝外,另外采用了幾乎所有制備單晶硅太陽能電池的技術,這樣制得的太陽能電池轉換效率明顯提高。德國費萊堡太陽能研究所采用區館再結晶技術在FZSi襯底上制得的多晶硅電池轉換效率為19%,日本三菱公司用該法制備電池,效率達16.42%。液相外延(LPE)法的原理是通過將硅熔融在母體里,降低溫度析出硅膜。美國Astropower公司采用LPE制備的電池效率達12.2%。黑龍江非晶硅太陽能電池片色差
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