多晶硅(p-Si)

熔融硅在順控條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。

結晶后的多晶硅經開方、倒角、切片等一系列的工藝加工后的成品硅片即為多晶硅片

多晶硅片的表觀為深藍色的方片

單晶硅(c-Si)

以高純度多晶硅為原料在單晶爐中被熔化為液態在單晶種（籽晶）上結晶而成由于其晶體的原子和分子以同一方向（晶向）周期性地整齊排列所以稱為單晶硅。

單晶硅棒經截斷，遼寧柔性太陽能電池片生產、取方、切片后得到的成品硅片即為單晶硅片

單晶硅片表觀為金屬灰色的準方片

單晶硅電池光電轉換率較高可，遼寧柔性太陽能電池片生產,但價格較高，遼寧柔性太陽能電池片生產。多晶硅電池價格相對較低轉換效率也相對低些。但多晶硅片的產量、規模較單晶硅易擴大。

三、擴散制結

太陽能電池需要一個大面積的PN結以實現光能到電能的轉換，而擴散爐即為制造太陽能電池PN結的**設備。管式擴散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴散一般用三氯氧磷液態源作為擴散源。把P型硅片放在管式擴散爐的石英容器內，在850---900攝氏度高溫下使用氮氣將三氯氧磷帶入石英容器，通過三氯氧磷和硅片進行反應，得到磷原子。經過一定時間，磷原子從四周進入硅片的表面層，并且通過硅原子之間的空隙向硅片內部滲透擴散，形成了N型半導體和P型半導體的交界面，也就是PN結。這種方法制出的PN結均勻性好,方塊電阻的不均勻性小于百分之十,少子壽命可大于10ms。制造PN結是太陽電池生產**基本也是**關鍵的工序。因為正是PN結的形成，才使電子和空穴在流動后不再回到原處，這樣就形成了電流，用導線將電流引出，就是直流電。

六、鍍減反射膜

  拋光硅表面的反射率為35%,為了減少表面反射,提高電池的轉換效率,需要沉積一層氮化硅減反射膜。工業生產中常采用PECVD設備制備減反射膜。PECVD即等離子增強型化學氣相沉積。它的技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體SiH4和NH3，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態薄膜即氮化硅薄膜。一般情況下，使用這種等離子增強型化學氣相沉積的方法沉積的薄膜厚度在70nm左右。這樣厚度的薄膜具有光學的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大為減少，電池的短路電流和輸出就有很大增加，效率也有相當的提高。

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