P型和N型都可以做電池片。

在p型半導體材料上擴散磷元素，形成n+/p型結構的太陽電池即為P型硅片；

在N型半導體材料上注入硼元素，形成p+/n型結構的太陽電池即為n型硅片；

目前光伏行業主流產品是P型硅片，P型硅片制作工藝簡單，成本較低，N型硅片通常少子壽命較大，電池效率可以做得更高，但是工藝更加復雜。N型硅片摻磷元素，吉林焊帶太陽能電池片組件，磷與硅相溶性差，拉棒時磷分布不均，P型硅片摻硼元素，硼與硅分凝系數相當，吉林焊帶太陽能電池片組件，分散均勻度容易控制。

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五、等離子刻蝕

  由于在擴散過程中，即使采用背靠背擴散，硅片的所有表面包括邊緣都將不可避免地擴散上磷。PN結的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴散有磷的區域流到PN結的背面，而造成短路。因此，必須對太陽能電池周邊的摻雜硅進行刻蝕，以去除電池邊緣的PN結。通常采用等離子刻蝕技術完成這一工藝。等離子刻蝕是在低壓狀態下，反應氣體CF4的母體分子在射頻功率的激發下，產生電離并形成等離子體。等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應腔體中的氣體在電子的撞擊下，除了轉變成離子外，還能吸收能量并形成大量的活性基團。活性反應基團由于擴散或者在電場作用下到達SiO2表面，在那里與被刻蝕材料表面發生化學反應，并形成揮發性的反應生成物脫離被刻蝕物質表面，被真空系統抽出腔體。

 二、表面制絨

  單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結構。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來制備絨面硅，腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面，還應在溶液中酌量添加醇類如乙醇和異丙醇等作為絡合劑，以加快硅的腐蝕。制備絨面前，硅片須先進行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面后，進行一般的化學清洗。經過表面準備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應盡快擴散制結。

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