導(dǎo)致控制器三相輸出線短路時(shí)的短路電流各不相同，所以設(shè)計(jì)者應(yīng)跟據(jù)自己的實(shí)際電路和使用條件設(shè)計(jì)合理的保護(hù)時(shí)間。短路保護(hù)時(shí)間計(jì)算步驟：計(jì)算MOSFVBHET短路時(shí)允許的瞬態(tài)溫升因?yàn)榭刂破饔锌赡苁窃谡９ぷ鲿r(shí)突然短路，所以我們的設(shè)計(jì)應(yīng)是基于正常工作時(shí)的溫度來計(jì)算允許的瞬態(tài)溫升。MOSFET的結(jié)點(diǎn)溫度可由下式計(jì)算：Tj=Tc+P×Rth(jc)其中：Tc：MOSFET表面溫度Tj：MOSFET結(jié)點(diǎn)溫度Rth(jc)：結(jié)點(diǎn)至表面的熱阻，可從元器件Dateet中查得。理論上MOSFET的結(jié)點(diǎn)溫度不能超過175℃，所以電機(jī)相線短路時(shí)MOSFET允許的溫升為：Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根據(jù)瞬態(tài)溫升和單脈沖功率計(jì)算允許的單脈沖時(shí)的熱阻由圖2可知，重慶通用電子線圈，短路時(shí)MOSFET耗散的功率約為：P=Vds×I=25×400=10000W脈沖的功率也可以通過將圖二測得波形存為EXCEL格式的數(shù)據(jù)，然后通過EXCEL進(jìn)行積分，從而得到比較精確的脈沖功率數(shù)據(jù)。對于MOSFET溫升計(jì)算有如下公式：Trising=P×Zθjc×Rθjc其中：Rθjc------結(jié)點(diǎn)至表面的熱阻，重慶通用電子線圈，可從元器件Dateet中查得，重慶通用電子線圈。Zθjc------熱阻系數(shù)Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根據(jù)單脈沖的熱阻系數(shù)確定允許的短路時(shí)間由圖3**下面一條曲線(單脈沖)可知，對于單脈沖來說。

    故單層繞組一般只用于小容量異步電動機(jī)中MFZ1-7/DC24V/AC110V/AC220VMFJ1-3/DC24V/AC110V/AC220VMFJ1-7/DC24V/AC110V/AC220VMFB1-3YC/DC24V/AC110V/AC220VMFB1-4YC/DC24V/AC110V/AC220VMFB1-7YC/DC24V/AC110V/AC220VMFB1-10YC/DC24V/AC110V/AC220VMFZ1-3YC/DC24V/AC110V/AC220VMFZ1-4YC/DC24V/AC110V/AC220VMFZ1-7YC/DC24V/AC110V/AC220VMFZ1-10YC/DC24V/AC110V/AC220VMFJ3-18YC/DC24V/AC110V/AC220VMFJ3-27YC/DC24V/AC110V/AC220VMFJ3-54YC/DC24V/AC110V/AC220VMFZ3-22YC/DC24V/AC110V/AC220VMFZ3-37YC/DC24V/AC110V/AC220VMFZ30-90YC/DC24V/AC110V/AC220VMFJ10-27YC/DC24V/AC110V/AC220VMFZ8-37YC/DC24V/AC110V/AC220VMFZ8-90YC/DC24V/AC110V/AC220VMFB8-37YC/DC24V/AC110V/AC220VMFB8-90YC/DC24V/AC110V/AC220V。

    且環(huán)形線圈模塊均勻安裝于十六個(gè)發(fā)熱槽內(nèi)，且線圈隔斷條的材質(zhì)為可隔絕輻射材料，從而使得線圈隔斷條可均勻?qū)Νh(huán)形線圈模塊工作時(shí)產(chǎn)生的輻射進(jìn)行隔絕防護(hù)，且線圈隔斷條的外側(cè)固定安裝有防輻射外環(huán)，進(jìn)一步的增加了防輻射的效果，且隔熱圈對防輻射外環(huán)起到防護(hù)隔熱作用，從而使得裝置達(dá)到防輻射效果好的目的，增加了裝置安全性。附圖說明圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型圖1結(jié)構(gòu)a部示意放大圖。圖中標(biāo)號說明：1、安裝板；2、安裝槽；3、線圈隔斷條；301、橫向隔斷條；302、縱向隔斷條；4、環(huán)形線圈模塊；401、電磁線圈；5、防輻射外環(huán)；6、導(dǎo)線；7、發(fā)熱槽；8、隔熱圈；9、電源孔；10、外接線。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。請參閱圖1-2，一種陣列電磁線圈盤，包括安裝板1，安裝板1的正面開設(shè)有安裝槽2，安裝槽2的內(nèi)部固定安裝有六個(gè)線圈隔斷條3。

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