太陽(yáng)電池的主柵是不確定數(shù)目的，這都是隨時(shí)代而變換的，以前是兩主柵，后面有三主柵，還有五主柵，其實(shí)也有研究過無主柵的，主柵的主要作用與細(xì)柵類似，都是收集載流子，但是呢，主柵的數(shù)量及寬度是要追求一個(gè)比較好化的，既要滿足足夠多和粗來講全部的有效載流子收集起來，又要盡可能的少和細(xì)來盡量減少對(duì)太陽(yáng)光的阻擋作用。因此需要在這之間找一個(gè)平衡。因?yàn)楸趁娌簧婕暗讲晒鈫栴}（普通電池），所以一般設(shè)計(jì)成全鋁背場(chǎng)，但是也得要載流子導(dǎo)出來啊，所以會(huì)有背銀的存在，全鋁背場(chǎng)和背銀都是背電極。主柵和背面的背銀都是為了焊接用的，你看到的封裝好的電池，前面的主柵上是焊了一條焊帶的，背面也是，背銀的作用就是為焊帶焊接導(dǎo)出載流子而用的，需要注意的是細(xì)柵和主柵是絲網(wǎng)印刷印上去的，而你看到封裝好的電池的主柵上覆蓋了一層焊帶，這是焊上去的。至于你說的正極負(fù)極，北京焊帶太陽(yáng)能電池片哪里好，北京焊帶太陽(yáng)能電池片哪里好，這跟柵線的數(shù)目沒有關(guān)系，這主要與電池片的類型有關(guān)，北京焊帶太陽(yáng)能電池片哪里好，P型電池片的正極是背電極，前電極（主柵細(xì)柵）就是負(fù)極。

一、硅片檢測(cè)

硅片是太陽(yáng)能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽(yáng)能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對(duì)來料硅片進(jìn)行檢測(cè)。該工序主要用來對(duì)硅片的一些技術(shù)參數(shù)進(jìn)行在線測(cè)量，這些參數(shù)主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設(shè)備分自動(dòng)上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個(gè)檢測(cè)模塊。其中，光伏硅片檢測(cè)儀對(duì)硅片表面不平整度進(jìn)行檢測(cè),同時(shí)檢測(cè)硅片的尺寸和對(duì)角線等外觀參數(shù)；微裂紋檢測(cè)模塊用來檢測(cè)硅片的內(nèi)部微裂紋；另外還有兩個(gè)檢測(cè)模組，其中一個(gè)在線測(cè)試[url=]模組[/url]主要測(cè)試硅片體電阻率和硅片類型，另一個(gè)模塊用于檢測(cè)硅片的少子壽命。在進(jìn)行少子壽命和電阻率檢測(cè)之前，需要先對(duì)硅片的對(duì)角線、微裂紋進(jìn)行檢測(cè)，并自動(dòng)剔除破損硅片。硅片檢測(cè)設(shè)備能夠自動(dòng)裝片和卸片，并且能夠?qū)⒉缓细衿贩诺焦潭ㄎ恢茫瑥亩岣邫z測(cè)精度和效率。

五、等離子刻蝕

由于在擴(kuò)散過程中，即使采用背靠背擴(kuò)散，硅片的所有表面包括邊緣都將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面，而造成短路。因此，必須對(duì)太陽(yáng)能電池周邊的摻雜硅進(jìn)行刻蝕，以去除電池邊緣的PN結(jié)。通常采用等離子刻蝕技術(shù)完成這一工藝。等離子刻蝕是在低壓狀態(tài)下，反應(yīng)氣體CF4的母體分子在射頻功率的激發(fā)下，產(chǎn)生電離并形成等離子體。等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下，除了轉(zhuǎn)變成離子外，還能吸收能量并形成大量的活性基團(tuán)。活性反應(yīng)基團(tuán)由于擴(kuò)散或者在電場(chǎng)作用下到達(dá)SiO2表面，在那里與被刻蝕材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并形成揮發(fā)性的反應(yīng)生成物脫離被刻蝕物質(zhì)表面，被真空系統(tǒng)抽出腔體。

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