本實(shí)用新型涉及電磁線圈技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種陣列電磁線圈盤。背景技術(shù)：磁線盤是一種運(yùn)用電磁感應(yīng)原理進(jìn)行加熱的技術(shù)，主要應(yīng)用于電磁爐。目前，市面上常見的電磁爐的其工作原理是通過給線圈通電以產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，當(dāng)用含鐵質(zhì)鍋具底部放置爐面時(shí)，鍋具即切割交變磁力線而在鍋具底部金屬部分產(chǎn)生交變的電流(即渦流)，渦流使鍋具鐵分子高速無規(guī)則運(yùn)動(dòng)，分子互相碰撞、摩擦而產(chǎn)生熱能，使鐵質(zhì)鍋具本身自行高速發(fā)熱，用來加熱和烹飪食物，從而達(dá)到煮食的目的。目前市場(chǎng)上常見的電磁線圈盤主要針對(duì)功能性進(jìn)行發(fā)展，其中對(duì)電磁爐方面有大量的使用，其具有發(fā)熱速度快，使用簡(jiǎn)單，結(jié)構(gòu)合理且安全等優(yōu)勢(shì)，但是在實(shí)際使用過程中，遼寧電子線圈品牌，發(fā)熱效果相對(duì)不夠均勻，且電磁線圈發(fā)熱時(shí)可能產(chǎn)生大量的輻射，遼寧電子線圈品牌，對(duì)孕婦等特殊人群產(chǎn)生傷害，防輻射性能相對(duì)不夠好，為此我們提出一種陣列電磁線圈盤來解決上述問題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：(一)解決的技術(shù)問題針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供了一種陣列電磁線圈盤，具備發(fā)熱效果均勻且防輻射效果好等優(yōu)點(diǎn)，解決了在實(shí)際使用過程中，發(fā)熱效果相對(duì)不夠均勻，且電磁線圈發(fā)熱時(shí)可能產(chǎn)生大量的輻射，遼寧電子線圈品牌，對(duì)孕婦等特殊人群產(chǎn)生傷害，防輻射性能相對(duì)不夠好的問題。。

    ZCF510-50HBX3、不銹鋼內(nèi)螺紋高壓防爆電磁閥類型編制：ZCF5100-1HB,ZCF5100-2HB,ZCF5100-3HB,ZCF5100-4HB,ZCF5100-5HB,ZCF5100-6HB,ZCF5100-8HB,ZCF5100-10HB,ZCF5100-15HB,ZCF5100-20HB,ZCF5100-25HB,ZCF5100-32HB,ZCF5100-40HB,ZCF5100-50HB4、不銹鋼法蘭式防爆帶信號(hào)反應(yīng)功用電磁閥類型編制：ZCF5800-15HBX,ZCF31-20HBX,ZCF31-25HBX,ZCF31-32HBX,ZCF31-40HBX,ZCF31-50HBX,ZCF5800-65HBX,ZCF31-80HBX,ZCF31-100HBX,ZCF31-125HBX,ZCF31-150HBX,ZCF31-200HBX,ZCF5800-250HBX,ZCF31-300HBX35、不銹鋼法蘭式中高壓電磁閥類型編制：ZC580-15HB,ZC580-20HB,ZC580-25HB,ZC580-32HB,ZC580-40HB,ZC580-50HB,ZC580-65HB,ZC580-80HB,ZC580-100HB,ZC580-125HB,ZC580-150HB,ZC580-200HB,ZC580-250HB,ZC580-300HB6、不銹鋼內(nèi)螺紋中高壓電磁閥類型編制：ZC510-1HB,ZC510-2HB,ZC510-3HB,ZC510-4HB,ZC510-5HB,ZC510-6HB,ZC510-8HB,ZC510-10HB,ZC510-15HB,ZC501-20HB,ZC510-25HB,ZC510-32HB,ZC510-40HB,ZC510-50H3、不銹鋼內(nèi)螺紋高壓防爆電磁閥類型編制：ZCF5100-1HB,ZCF5100-2HB,ZCF5100-3HB,ZCF5100-4HB,ZCF5100-5HB,ZCF5100-6HB,ZCF5100-8HB,ZCF5100-10HB,ZCF5100-15HB,ZCF5100-20HB。

    導(dǎo)致控制器三相輸出線短路時(shí)的短路電流各不相同，所以設(shè)計(jì)者應(yīng)跟據(jù)自己的實(shí)際電路和使用條件設(shè)計(jì)合理的保護(hù)時(shí)間。短路保護(hù)時(shí)間計(jì)算步驟：計(jì)算MOSFVBHET短路時(shí)允許的瞬態(tài)溫升因?yàn)榭刂破饔锌赡苁窃谡９ぷ鲿r(shí)突然短路，所以我們的設(shè)計(jì)應(yīng)是基于正常工作時(shí)的溫度來計(jì)算允許的瞬態(tài)溫升。MOSFET的結(jié)點(diǎn)溫度可由下式計(jì)算：Tj=Tc+P×Rth(jc)其中：Tc：MOSFET表面溫度Tj：MOSFET結(jié)點(diǎn)溫度Rth(jc)：結(jié)點(diǎn)至表面的熱阻，可從元器件Dateet中查得。理論上MOSFET的結(jié)點(diǎn)溫度不能超過175℃，所以電機(jī)相線短路時(shí)MOSFET允許的溫升為：Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根據(jù)瞬態(tài)溫升和單脈沖功率計(jì)算允許的單脈沖時(shí)的熱阻由圖2可知，短路時(shí)MOSFET耗散的功率約為：P=Vds×I=25×400=10000W脈沖的功率也可以通過將圖二測(cè)得波形存為EXCEL格式的數(shù)據(jù)，然后通過EXCEL進(jìn)行積分，從而得到比較精確的脈沖功率數(shù)據(jù)。對(duì)于MOSFET溫升計(jì)算有如下公式：Trising=P×Zθjc×Rθjc其中：Rθjc------結(jié)點(diǎn)至表面的熱阻，可從元器件Dateet中查得。Zθjc------熱阻系數(shù)Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根據(jù)單脈沖的熱阻系數(shù)確定允許的短路時(shí)間由圖3**下面一條曲線(單脈沖)可知，對(duì)于單脈沖來說。

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