導致控制器三相輸出線短路時的短路電流各不相同，所以設計者應跟據自己的實際電路和使用條件設計合理的保護時間。短路保護時間計算步驟：計算MOSFVBHET短路時允許的瞬態溫升因為控制器有可能是在正常工作時突然短路，所以我們的設計應是基于正常工作時的溫度來計算允許的瞬態溫升。MOSFET的結點溫度可由下式計算：Tj=Tc+P×Rth(jc)其中：Tc：MOSFET表面溫度Tj：MOSFET結點溫度Rth(jc)：結點至表面的熱阻，可從元器件Dateet中查得。理論上MOSFET的結點溫度不能超過175℃，所以電機相線短路時MOSFET允許的溫升為：Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根據瞬態溫升和單脈沖功率計算允許的單脈沖時的熱阻由圖2可知，短路時MOSFET耗散的功率約為：P=Vds×I=25×400=10000W脈沖的功率也可以通過將圖二測得波形存為EXCEL格式的數據，本地電子線圈產品基本性能要求，然后通過EXCEL進行積分，從而得到比較精確的脈沖功率數據。對于MOSFET溫升計算有如下公式：Trising=P×Zθjc×Rθjc其中：Rθjc------結點至表面的熱阻，本地電子線圈產品基本性能要求，可從元器件Dateet中查得，本地電子線圈產品基本性能要求。Zθjc------熱阻系數Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根據單脈沖的熱阻系數確定允許的短路時間由圖3**下面一條曲線(單脈沖)可知，對于單脈沖來說。

    二)技術方案為實現上述發熱效果均勻且防輻射效果好的目的，本實用新型提供如下技術方案：一種陣列電磁線圈盤，包括安裝板，所述安裝板的正面開設有安裝槽，所述安裝槽的內部固定安裝有六個線圈隔斷條，所述安裝槽的內部通過六個線圈隔斷條分割為十六個發熱槽，所述發熱槽的內部均固定安裝有環形線圈模塊，所述環形線圈模塊位于線圈隔斷條的內側，所述環形線圈模塊由七個電磁線圈組成，七個所述電磁線圈依次電連接，所述環形線圈模塊的外側固定安裝有防輻射外環，所述防輻射外環與環形線圈模塊的連接設置有隔熱圈，所述隔熱圈的內側固定連接于環形線圈模塊的外側，所述隔熱圈的外側固定連接于防輻射外環的內側，十六個所述環形線圈模塊均固定連接有導線，十六個所述環形線圈模塊通過導線串聯，所述導線與環形線圈模塊電連接，所述導線貫穿線圈隔斷條串聯于十六個環形線圈模塊，所述安裝板的頂部開設有電源孔，所述電源孔的底部連通安裝槽的頂部，所述電源孔的內部設置有外接線，所述外接線依次貫穿防輻射外環和隔熱圈并延伸至隔熱圈的內側，所述外接線的底部固定連接于其正下方的環形線圈模塊內。推薦的，所述線圈隔斷條包括橫向隔斷條與縱向隔斷條。

諧振電容: c 單位:PF 本題建義c=500...1000pf 可自行先決定，或由Q值決定

諧振電感: l 單位: 微亨

線圈電感的計算公式

1。針對環形線圈,有以下公式可利用: (鐵芯)

L=N2.AL L= 電感值(H)

H-DC=0.4πNI / l N= 線圈匝數(圈)

AL= 感應系數

H-DC=直流磁化力 I= 通過電流(A)

l= 磁路長度(cm)

l及AL值大小，可參照Microl對照表。例如: 以T50-52材，線圈5圈半，其L值為T50-52(表示OD為0.5英吋)，經查表其AL值約為33nH

L=33.(5.5)2=998.25nH≒1μH

當流過10A電流時，其L值變化可由l=3.74(查表)

H-DC=0.4πNI / l = 0.4×3.14×5.5×10 / 3.74 = 18.47 (查表后)

即可了解L值下降程度(μi%)

2。介紹一個經驗公式

L=(k*μ0*μs*N2*S)/l

其中

μ0 為真空磁導率=4π*10(-7)。(10的負七次方)

μs 為線圈內部磁芯的相對磁導率，空心線圈時μs=1

N2 為線圈圈數的平方

S 線圈的截面積，單位為平方米

l 線圈的長度， 單位為米

k 系數，取決于線圈的半徑(R)與長度(l)的比值。

文章來源地址: http://www.qyzv.cn/cp/406369.html