二、表面制絨

  單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來制備絨面硅，腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面，還應在溶液中酌量添加醇類如乙醇和異丙醇等作為絡合劑，以加快硅的腐蝕。制備絨面前，硅片須先進行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面后，吉林太陽能電池片結(jié)構(gòu)，吉林太陽能電池片結(jié)構(gòu)，進行一般的化學清洗。經(jīng)過表面準備的硅片都不宜在水中久存，吉林太陽能電池片結(jié)構(gòu)，以防沾污，應盡快擴散制結(jié)。

六、鍍減反射膜

  拋光硅表面的反射率為35%,為了減少表面反射,提高電池的轉(zhuǎn)換效率,需要沉積一層氮化硅減反射膜。工業(yè)生產(chǎn)中常采用PECVD設(shè)備制備減反射膜。PECVD即等離子增強型化學氣相沉積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體SiH4和NH3，氣體經(jīng)一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。一般情況下，使用這種等離子增強型化學氣相沉積的方法沉積的薄膜厚度在70nm左右。這樣厚度的薄膜具有光學的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大為減少，電池的短路電流和輸出就有很大增加，效率也有相當?shù)奶岣摺?

到在常溫不同日照時，當光照強度為200W/m2時，太陽電池最大功率點電壓為380V，當光照強度為1000 W/m2時，太陽電池最大功率點電壓約為420V。在光照強度為1000 W/m2時，當電池表面溫度為50℃時，最大功率點發(fā)生在電壓為380V處，溫度為25℃時，最大功率點發(fā)生在電壓為520V處。由此可知，如果不采用控制方法，當光照強度和溫度發(fā)生改變時，太陽電池是不可能工作在當前情況下的最大功率點的。

最大功率和輸出功率是有區(qū)別的，目前單晶電池片的輸出功率單片都在2.5W左右

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