且十六個環形線圈模塊4均勻安裝在十六個區域內，從而使得環形線圈模塊4的分布相對均勻，使得裝置加熱能力相對均勻，提升裝置的烹飪能力。進一步的，環形線圈模塊4由七個呈環形狀的電磁線圈401組成，電磁線圈401的截面成螺旋狀，使得裝置的加熱能力相對較好。進一步的，環形線圈模塊4呈方陣狀整齊排列于安裝板1上，使得裝置的加熱處于同一平面上，從而加熱能力相對均勻，防輻射外環5呈圓形，使得環形線圈模塊4在加熱過程中，不會對防輻射外環5產生損傷。進一步的，線圈隔斷條3由環氧樹脂膠構成，使得線圈隔斷條3對裝置內的輻射可一定程度防護，導線6為抗熱材料，河北電子線圈訂制價格，使得裝置在加熱過程中，導線6不會產生損壞，河北電子線圈訂制價格，從而使裝置的實用性強，河北電子線圈訂制價格。工作原理：首先對外接線10接通電源，電源通過環形線圈模塊4內的電磁線圈401后通過導線6串聯環形線圈模塊4，從而使得電源可接通于安裝板1上十六個環形線圈模塊4上，環形線圈模塊4內由七個電磁線圈401串聯組成，電磁線圈401通電后可產生高溫，從而使裝置產生熱量，通過設置在安裝板1上連接的環形線圈模塊4，且環形線圈模塊4在安裝板1內為陣列狀，規則排列，且環形線圈模塊4由換形狀的七個電磁線圈401環形組成。

    此時斷路反饋狀態位在清零信號的作用下短暫復位，但由于斷路狀態沒有排除，所以斷路反饋狀態位在短暫復位后繼續保持高電平有效狀態，如此往復。三、車用電磁閥t1出現斷路故障時，工作相位圖請參考圖4。在未開始驅動車用電磁閥t1工作時，即驅動使能信號還未有效、呈低電平時，車用電磁閥t1和電阻r1構成串聯分壓電路，此時由于車用電磁閥t1的內阻很低，因此t1和r1的公共端a端的電壓非常低，因此b端電壓可以認為是一個邏輯的低電平，也即b端給cpld控制器的診斷狀態位為低電平。當驅動使能信號高電平有效時，由于車用電磁閥t1短路，此時a端的電壓和b端電壓都保持在邏輯低的電壓范圍內，也即b端給cpld控制器的診斷狀態位為低電平。比較圖2和圖4可以看出，當驅動使能信號還未有效時，無論是正常情況還是出現短路故障時，診斷狀態位都呈低電平。而在驅動使能信號高電平有效時，正常情況下診斷狀態位呈高電平，出現短路故障時由高電平變為低電平。因此cpld控制器在驅動使能信號有效時，結合診斷狀態位的邏輯電平以確定車用電磁閥t1的短路狀態。具體的，cpld控制器在驅動使能信號有效且診斷狀態位為低電平時，通過短路反饋輸出端向mcu反饋有效的短路反饋狀態位，也即如圖4所示。

    導致控制器三相輸出線短路時的短路電流各不相同，所以設計者應跟據自己的實際電路和使用條件設計合理的保護時間。短路保護時間計算步驟：計算MOSFVBHET短路時允許的瞬態溫升因為控制器有可能是在正常工作時突然短路，所以我們的設計應是基于正常工作時的溫度來計算允許的瞬態溫升。MOSFET的結點溫度可由下式計算：Tj=Tc+P×Rth(jc)其中：Tc：MOSFET表面溫度Tj：MOSFET結點溫度Rth(jc)：結點至表面的熱阻，可從元器件Dateet中查得。理論上MOSFET的結點溫度不能超過175℃，所以電機相線短路時MOSFET允許的溫升為：Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根據瞬態溫升和單脈沖功率計算允許的單脈沖時的熱阻由圖2可知，短路時MOSFET耗散的功率約為：P=Vds×I=25×400=10000W脈沖的功率也可以通過將圖二測得波形存為EXCEL格式的數據，然后通過EXCEL進行積分，從而得到比較精確的脈沖功率數據。對于MOSFET溫升計算有如下公式：Trising=P×Zθjc×Rθjc其中：Rθjc------結點至表面的熱阻，可從元器件Dateet中查得。Zθjc------熱阻系數Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根據單脈沖的熱阻系數確定允許的短路時間由圖3**下面一條曲線(單脈沖)可知，對于單脈沖來說。

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