五、等離子刻蝕

由于在擴(kuò)散過程中，即使采用背靠背擴(kuò)散，硅片的所有表面包括邊緣都將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面，黑龍江單晶太陽能電池片瓦數(shù)，而造成短路。因此，必須對太陽能電池周邊的摻雜硅進(jìn)行刻蝕，以去除電池邊緣的PN結(jié)。通常采用等離子刻蝕技術(shù)完成這一工藝。等離子刻蝕是在低壓狀態(tài)下，反應(yīng)氣體CF4的母體分子在射頻功率的激發(fā)下，產(chǎn)生電離并形成等離子體，黑龍江單晶太陽能電池片瓦數(shù)。等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下，除了轉(zhuǎn)變成離子外，還能吸收能量并形成大量的活性基團(tuán)?；钚苑磻?yīng)基團(tuán)由于擴(kuò)散或者在電場作用下到達(dá)SiO2表面，在那里與被刻蝕材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，黑龍江單晶太陽能電池片瓦數(shù)，并形成揮發(fā)性的反應(yīng)生成物脫離被刻蝕物質(zhì)表面，被真空系統(tǒng)抽出腔體。 太陽能電池片經(jīng)過幾道工序生產(chǎn)？黑龍江單晶太陽能電池片瓦數(shù)

1）太陽能光強(qiáng)。太陽能電池就是把太陽光轉(zhuǎn)化為電的一種器件，在一般的情況下（注意條件），太陽能電池的效率隨光強(qiáng)增加而增加的。再進(jìn)一步說就是太陽能電池效率和安裝地的綜合氣候條件有關(guān)系。2）電池的材料。不同的材料對光的吸收系數(shù)不同，禁帶寬度也不同，量子效率自然也不同，電池效率自然也不同了。一般來說，單晶硅/多晶硅對光的系數(shù)系數(shù)遠(yuǎn)小于非晶硅的，所以非晶硅太陽能電池厚度**有單晶硅/多晶硅厚度的百分之一即可較好的吸收太陽光。另外理論上講GaAs太陽能電池的極限效率要大于其他太陽能電池的極限效率，因?yàn)镚aAs太陽電池的禁帶寬度在1.4ev，和地面太陽光光譜能量的**值**為接近。3）工藝水平。不同的工藝水平，電池的效率自然也不同，看看各個廠子就很明白了，為什么原材料幾乎都一樣，做出來的電池效率卻差別很大，原因就在這。工藝水平自然和設(shè)備水平有著重要的關(guān)系，一般來說設(shè)備越是先進(jìn)工藝就越***，電池效率就越高（工藝是設(shè)備的產(chǎn)物，沒有設(shè)備工藝無法實(shí)現(xiàn)，都是空想）。典型的例子就是SiN:H減反膜以及倒金字塔結(jié)構(gòu)，一塊電池如果不采用這兩種工藝，效率差別會很**概8%左右）。黑龍江單晶太陽能電池片瓦數(shù)太陽能電池片為什么有細(xì)柵線?

太陽能電池片的A規(guī)和B規(guī)的主要分標(biāo)準(zhǔn)是從外觀和機(jī)械性能等各個參數(shù)來說的:

外觀分;色差:A 只允許有同種顏色 B 允許有兩種相近色,(藍(lán)或深藍(lán),淡藍(lán))

漏漿,A 不允許 B ≤3㎡

臟污,A ≤3㎡ B ≤9㎡

結(jié)點(diǎn);水印;主柵線缺損,多印;背電極缺損,多印;背電場左右偏移,多印,缺損;鋁刺;V型缺口;缺角;等.A級是優(yōu)品,B為合格品.

另外A規(guī)為***片≥15.75% 單晶

≥15.5% 多晶

以15.75為例,單晶的A規(guī)的價格應(yīng)該是30-50/W之間

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多晶硅太陽電他的出現(xiàn)主要是為了降低成本，其優(yōu)點(diǎn)是能直接制備出適于規(guī)?；a(chǎn)的大尺寸方型硅錠，設(shè)備比較簡單，制造過程簡單、省電、節(jié)約硅材料，對材質(zhì)要求也較低。晶界及雜質(zhì)影響可通過電池加工工藝進(jìn)行改善；由于材質(zhì)和晶界影響，電池效率較低。電池工藝主要采用吸雜、鈍化、背場等技術(shù)。

常規(guī)鋁吸雜工藝是在電池的背面蒸鍍鋁膜后經(jīng)過燒結(jié)形成，也可同時形成電池的背場。近幾年在吸雜上的工作證明，它對***單晶硅太陽電池及多晶硅太陽電池都會產(chǎn)生一定的作用。

鈍化是提高多晶硅質(zhì)量的有效方法。一種方法是采用氫鈍化，鈍化硅體內(nèi)的懸掛鍵等缺點(diǎn)。在晶體生長中受應(yīng)力等影響造成缺點(diǎn)越多的硅材料，氫鈍化的效果越好。氫鈍化可采用離子注入或等離子體處理。在多晶硅太陽電池表面采用PECVD法鍍上一層氮化硅減反射膜，由于硅烷分解時產(chǎn)生氫離子，對多晶硅可產(chǎn)生氫鈍化的效果。

在***太陽電池上常采用表面氧鈍化的技術(shù)來提高太陽電他的效率，近年來在光伏級的晶體硅材料上使用也有明顯的效果，尤其采用熱氧化法效果更明顯。使用PECVD法在更低的溫度下進(jìn)行表面氧化，近年來也被使用，具有一定的效果。 晶硅太陽能電池片，每一片瓦數(shù)是多少？

1、加熱管的結(jié)構(gòu)形式

為實(shí)現(xiàn)燒結(jié)段的溫度尖峰，需在很短的爐膛空間內(nèi)布置足夠的加熱功率。有短波孿管和短波單管兩種結(jié)構(gòu)可以選擇，其線性功率密度均達(dá)到60kW/m2。雖然短波孿管擁有更高的單根功率(相當(dāng)于兩根單管并聯(lián))，但由于其制造工藝復(fù)雜，對石英玻璃管的質(zhì)量要求更高，制造成本約是單管的2.5倍。因此，在實(shí)際使用中，大多采用單管。

2、紅外輻射吸收光譜

當(dāng)紅外輻射能量被工件吸收時，該物質(zhì)所特有的吸收光譜需與發(fā)射光譜相匹配，才能在**短時間內(nèi)比較大效率地吸收輻射能。因此，在燒結(jié)的不同階段，所選用的紅外石英燈管也是不同的。在烘干段，要讓有機(jī)溶劑和水分迅速揮發(fā)，采用中波管輔助熱風(fēng)加熱是正確的;在預(yù)燒段，要讓基片獲得充分均勻的預(yù)熱，中波管良好的紅外輻射、均衡的吸收及穿透能力，正好符合要求;在燒結(jié)段，必須在極短時間內(nèi)使基片達(dá)到共晶溫度，只有短波管能做到這一點(diǎn)。

3、加熱管的固定方式

燒結(jié)段的溫度峰值在850℃左右，此時燈管的表面溫度將達(dá)到1100℃，接近石英管的使用極限，稍微過熱產(chǎn)生氣孔就會立刻燒毀燈管。而在燈管的引出導(dǎo)線部位，由于焊接導(dǎo)線的金屬片和石英玻璃密封在一起，二者熱膨脹系數(shù)不一致，如果此處溫度過高就會產(chǎn)生應(yīng)力裂紋，造成燈管漏氣 太陽能電池片連接問題！遼寧太陽能電池片焊接

太陽能電池片2bb，3bb，4bb，5bb代表什么意思？黑龍江單晶太陽能電池片瓦數(shù)

多晶硅薄膜太陽能電池

通常的晶體硅太陽能電池是在厚度350～450μm的高質(zhì)量硅片上制成的，這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實(shí)際消耗的硅材料更多。為了節(jié)省材料，人們從70年代中期就開始在廉價襯底上沉積多晶硅薄膜，但由于生長的硅膜晶粒大小，未能制成有價值的太陽能電池。為了獲得大尺寸晶粒的薄膜，人們一直沒有停止過研究，并提出了很多方法。目前制備多晶硅薄膜電池多采用化學(xué)氣相沉積法，包括低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝。此外，液相外延法（LPPE）和濺射沉積法也可用來制備多晶硅薄膜電池?；瘜W(xué)氣相沉積主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,為反應(yīng)氣體,在一定的保護(hù)氣氛下反應(yīng)生成硅原子并沉積在加熱的襯底上，襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4等。 黑龍江單晶太陽能電池片瓦數(shù)

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